| BitTorrent Трекер RusTrek.ru http://5.45.70.241/ |
|
| Аскеров Б.М. - Электронные явления переноса в полупроводниках. [1985,DjVu,RUS] http://5.45.70.241/viewtopic.php?f=268&t=27128 |
Страница 1 из 1 |
| Автор: | kotiar [ 2011-11-30 20:03 ] |
| Заголовок сообщения: | Аскеров Б.М. - Электронные явления переноса в полупроводниках. [1985,DjVu,RUS] |
Электронные явления переноса в полупроводниках. #777 Год выпуска: 1985 Автор: Аскеров Б.М. Жанр: Учебное пособие Язык: Русский Издательство: Наука ISBN: Нет Формат: DjVu Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 320 Описание: Посвящена систематическому п подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках. Доп. информация: Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей. Из предисловия: Кинетические свойства, как известно, лежат в основе многих технических применений полупроводников. Кроме того, эти свойства чувствительны к законам дисперсии носителей тока и к природе взаимодействия носителей с различными дефектами кристаллической решетки. Поэтому многие традиционные методы изучения полупроводниковых веществ основываются на исследовании различных кинетических эффектов. Они становятся особенно эффективными в некоторых экстремальных условиях: при низких температурах, в сильных магнитных полях, в полупроводниках с сильно непараболической зоной и т. д. Хорошие и надежные результаты получаются тогда, когда исследование проводится комплексно и учитываются выводы теории электронных явлений переноса. Однако в существующих изданиях теория кинетических эффектов излагается в пределах одной — двух глав. Настоящая книга посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных явлений. Рассмотрены произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей заряда фононами в произвольном неквавтую-щем магнитном поле. Подробно изложена теория рассеяния, где учитывается и влияние блоховских амплитуд. Основную часть книги составляют три важных раздела: статистика носителей тока в полупроводниках, классическая теория и квантовая теория электронных явлений переноса. Опубликовано группой
|
|
| Страница 1 из 1 | Часовой пояс: UTC + 3 часа |
| Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group https://www.phpbb.com/ |
|