| BitTorrent Трекер RusTrek.ru http://5.45.70.241/ |
|
| Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. - Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. [1978,DjVu,RUS] http://5.45.70.241/viewtopic.php?f=268&t=27106 |
Страница 1 из 1 |
| Автор: | kotiar [ 2011-11-30 20:02 ] |
| Заголовок сообщения: | Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. - Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. [1978,DjVu,RUS] |
Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. #777 Год выпуска: 1978 Автор: Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Жанр: Физика твердого тела Язык: Русский Издательство: Наука ISBN: Нет Формат: DjVu Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 288 Описание: В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства полупроводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления и, наконец, проводится сравнение теории с экспериментом. Книга в основном имеет оригинальный характер, отражая результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строится на фундаменте современной электронной теории катализа. Книга имеет целью раскрыть, в той или иной степени, механизм явления. Из предисловия: Прежде всего необходимо расшифровать название этой книги. Говоря об облучении, мы имеем в виду как электромагнитное облучение (видимый и ультрафиолетовый свет, рентгеновские и гамма-лучи), так и корпускулярное облучение (бомбардировка поверхности электронами, протонами, альфа-частицами, нейтронами). Говоря о поверхностных свойствах, мы имеем в виду адсорбционные и каталитические свойства полупроводника. Речь идет об изменении адсорбционной способности, каталитической активности и селективности катализатора под действием облучения. Книга носит в основном теоретический характер. Ее цель — раскрыть механизм действия облучения на адсорбционные и каталитические свойства полупроводника. В I и II частях книги исследуется изменение поверхностных свойств полупроводника под влиянием электромагнитного облучения, которое нарушает электронное равновесие в образце. В III части в рассмотрение включается корпускулярное и жесткое электромагнитное (например, гамма-кванты) облучение, которое, наряду с нарушением электронного равновесия, вызывает повреждение кристаллической решетки полупроводника. Механизм изменения физико-химических свойств поверхности полупроводника анализируется в книге на базе современной электронной теории хемосорбции и катализа, которая является единственным существующим в настоящее время фундаментом, способным служить этой цели. Опубликовано группой
|
|
| Страница 1 из 1 | Часовой пояс: UTC + 3 часа |
| Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group https://www.phpbb.com/ |
|