Физика полупроводниковых приборов.
#777
Год выпуска: 1989
Автор: Гаман В.И.
Жанр: Учебное пособие
Язык: Русский
Издательство: Томского университета
ISBN: Неизвестно
Формат: DjVu
Качество: Отсканированные страницы
Количество страниц: 336
Описание: В книге наложены физические принципы работы и функциональные возможности полупроводниковых диодов с барьером Шоттки, диодов с гомо- и гетеропереходами, диодов Ганиа, биполярных и полевых транзисторов, приборов с вольт-амперной характеристикой S-типа.
Доп. информация: Для студентов радиофизических, физических и электронных специальностей вузов и инженерно-технических работников, занимающихся разработкой полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Из предисловия:
Эта книга написана на основе лекций, которые автор в течение ряда лет читал студентам радиофизического факультета Томского университета. Вместе с тем она не является конспектом лекций, а представляет собой учебное пособие и по отдельным вопросам содержит дополнительный материал для желающих изучить предмет более подробно.
Книга рассчитана на лиц, которым известны основные положения физики полупроводников, а также статистической физики и квантовой механики в объеме обычных университетских курсов. Она предназначена, прежде всего, для студентов университетов, специализирующихся по радиофизике и электронике, может быть использована студентами других специальностей, в учебном плане которых предусмотрено чтение курсов: физика полупроводниковых приборов, твердотельная электроника или полупроводниковая электроника.
При отборе материала в учебное пособие автор исходил из интересов не потребителей, а разработчиков приборов и твердотельных интегральных схем, которые должны иметь четкое представление о том, какие физические явления в полупроводниках уже использованы для создания приборов и какие функциональные возможности они. могут обеспечить. В связи с этим значительная часть книги посвящена анализу электронных и других процессов, лежащих в основе работы приборов различного назначения. В большинстве случаев дана математическое описание этих процессов и получены выражения для наиболее важных характеристик рассматриваемых приборов.